Pilihan lain yang patut dibincangkan ialah menggunakan peranti FGH30N60LSD. Ia adalah IGBT 30A/600V dengan voltan tepu VCE(SAT) hanya 1.1V. EOFF kehilangan turn-offnya sangat tinggi, mencapai 10mJ, jadi ia hanya sesuai untuk penukaran frekuensi rendah. RDS(ON) pada rintangan MOSFET 50 miliohm pada suhu operasi ialah 100 miliohm. Oleh itu, pada 11A, ia mempunyai VDS yang sama dengan VCE (SAT) IGBT. Memandangkan IGBT ini berasaskan teknologi pecahan lama, VCE(SAT) tidak banyak berubah mengikut suhu. Oleh itu, IGBT ini boleh mengurangkan kerugian keseluruhan dalam jambatan keluaran, dengan itu meningkatkan kecekapan keseluruhan penyongsang. FGH30N60LSD IGBT bertukar daripada satu teknologi penukaran kuasa kepada topologi khusus yang lain setiap separuh kitaran juga sangat berguna. IGBT digunakan sebagai suis topologi di sini. Dalam penukaran yang lebih pantas, peranti simpang super pemulihan konvensional dan pantas digunakan. Untuk topologi khusus 1200V dan struktur jambatan penuh, FGL40N120AND yang disebutkan di atas sangat sesuai untuk suis penyongsang suria frekuensi tinggi baharu. Apabila teknologi khas memerlukan diod, diod Stealth II, Hyperfast™ II dan diod silikon karbon adalah penyelesaian yang baik.

Sila lihat pandangan dan lebih memahami kami:

20000 watt pure sine wave ac inverter