Semua topologi memerlukan suis kuasa pensuisan pantas. Peringkat rangsangan dan peringkat penukaran jambatan penuh memerlukan diod pensuisan pantas. Selain itu, suis yang dioptimumkan untuk penukaran frekuensi rendah (100Hz) juga berguna untuk topologi ini. Untuk mana-mana teknologi silikon tertentu, suis yang dioptimumkan untuk pensuisan pantas mempunyai kehilangan pengaliran yang lebih tinggi daripada suis yang dioptimumkan untuk aplikasi pensuisan frekuensi rendah.

Peringkat rangsangan secara amnya direka bentuk sebagai penukar mod arus berterusan. Mengikut bilangan modul solar dalam tatasusunan yang digunakan oleh penyongsang, pilih sama ada untuk menggunakan peranti 600V atau 1200V. Dua pilihan untuk suis kuasa ialah MOSFET dan IGBT. Secara umumnya, MOSFET boleh berfungsi pada frekuensi pensuisan yang lebih tinggi daripada IGBT. Di samping itu, pengaruh diod badan mesti sentiasa dipertimbangkan: tidak ada masalah dalam kes peringkat rangsangan, kerana diod badan tidak berjalan dalam mod operasi biasa. Kehilangan pengaliran MOSFET boleh dikira berdasarkan rintangan pengaliran RDS(ON). Untuk siri MOSFET tertentu, ini adalah berkadar dengan kawasan die berkesan. Apabila voltan undian ditukar daripada 600V kepada 1200V, kehilangan pengaliran MOSFET akan meningkat dengan ketara. Oleh itu, walaupun nilai RDS(ON) adalah setara, MOSFET 1200V tidak tersedia atau harganya terlalu tinggi.

Sila lihat pandangan dan lebih memahami kami:

20000 watt pure sine wave ac inverter